Главная › Электронные компоненты › Тиристоры и Триаки › Симисторы › ST Microelectronics › T1635-600G-TR, Симистор, 800В, 16А, 35мА, D2PAK

T1635-600G-TR, Симистор, 800В, 16А, 35мА, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

250 шт., срок 8 недель

1 260 ֏

от 10 шт. — 740 ֏

от 30 шт. — 640 ֏

от 100 шт. — 560 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 260 ֏

Номенклатурный номер: 8017536035

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В

Технические параметры

Current - On State (It (RMS)) (Max)	16A
Gate Trigger Current - Igt	35mA
Gate Trigger Voltage - Vgt	1.3V
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	600V
Type	Two-way thyristor
Brand:	STMicroelectronics
Current Rating:	16 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Gate Trigger Current - Igt:	35 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt:	1.3 V
Holding Current Ih Max:	35 mA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current:	168 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:	5 uA
On-State Voltage:	1.55 V
Package/Case:	D2PAK
Product Category:	Triacs
Product Type:	Triacs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:	600 V
Series:	T1635
Subcategory:	Thyristors
Tradename:	Snubberless
Peak On State Voltage	1.55В
Thyristor Mounting	Surface Mount
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	Snubberless T16
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt	1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt	35мА
Максимальный Ток Удержания Ih	35мА
Пиковая Мощность Затвора	1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm	600В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц	160А
Стиль Корпуса Симистора	TO-263
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)	16А
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1