MMBF5484, Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
131 ֏
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
от 81 шт. —
101 ֏
от 162 шт. —
93 ֏
от 324 шт. —
85 ֏
Добавить в корзину 16 шт.
на сумму 2 096 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Радиочастотные (RF FET) транзисторы
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт
Технические параметры
Корпус | sot-23 |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Drain Gate Voltage | 25 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Category | Discrete Semiconductor Products |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1mA @ 15V |
Current Drain (Id) - Max | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Family | JFETs(Junction Field Effect) |
FET Polarity | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5pF @ 15V |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Names | MMBF5484LT1GOSDKR |
Package / Case | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Power - Max | 225mW |
Resistance - RDS(On) | - |
Series | - |
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25V |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 300mV @ 10nA |
Вес, г | 0.1 |