2N7000, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, 0,35Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
228 шт. с центрального склада, срок 3 недели
106 ֏
от 100 шт. —
59 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 106 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8021345114
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание
Описание Транзистор полевой 2N7000 от производителя DIOTEC предназначен для широкого спектра электронных устройств. Этот N-MOSFET компонент обеспечивает высокую скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии, что делает его идеальным для эффективного управления питанием. Монтаж данного транзистора осуществляется через отверстия (THT), что облегчает его интеграцию в печатные платы. Корпус TO92 гарантирует легкость установки и достаточную теплоотдачу для большинства применений. Используйте 2N7000 для улучшения производительности ваших проектов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Корпус | TO92 |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.2 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5000@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 350 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Ammo |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-92 |
Supplier Package | TO-92 |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 60@25V |
Вес, г | 0.273 |
Техническая документация
Документация
pdf, 136 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг