SUM110P06-07L-E3, , Транзистор полевой P-канальный , 60В, 110A, корпус TO-263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 490 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
1 410 ֏
от 20 шт. —
1 290 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 7 450 ֏
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Описание Микросборка диодная TO-263 Характеристики | Категория | Диод |
| Тип | диодная сборка |
Технические параметры
| Емкость, пФ | 11400 | |
| Корпус | TO-263(D2PAK) | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
| Заряд затвора, нКл | 345 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -60 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -110 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 6.9 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-375 мВт | |
| Описание | MOSFET 60V 110A 375W | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | P | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 56*46*52/800 | |
| Упаковка | REEL, 800 шт. | |
| Brand: | Vishay Semiconductors | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: | 800 | |
| Fall Time: | 50 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A | |
| Manufacturer: | Vishay | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) | |
| Part # Aliases: | SUM110P06-07L | |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 230 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.9 mOhms | |
| Rise Time: | 25 ns | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
| Вес, г | 3 |
