Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › MJE5731G, Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А

MJE5731G, Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

348 ֏

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 12 шт. — 314 ֏

от 24 шт. — 284 ֏

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 088 ֏

Номенклатурный номер: 8688724311

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 1 А

Технические параметры

Корпус	to-220
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	PNP
Product Category	Bipolar Power
Material	Si
Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	350
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	350
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	1@0.2A@1A
Maximum DC Collector Current (A)	1
Minimum DC Current Gain	30@0.3A@10V\|10@1A@10V
Maximum Power Dissipation (mW)	40000
Maximum Transition Frequency (MHz)	10(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	TO-220AB
Standard Package Name	TO-220
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	9.28(Max)
Package Length	10.53(Max)
Package Width	4.83(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Pd - рассеивание мощности	40 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.75 mm
Длина	10.53 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	350 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	10 MHz
Размер фабричной упаковки	50
Серия	MJE5731
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Maximum Collector Base Voltage	350 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	1@0.2A@1A V
Maximum Collector Emitter Voltage	350 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Operating Frequency	10(Min)MHz
Maximum Power Dissipation	40000 mW
Operating Temperature	-65 to 150 ?C
Package	3TO-220AB
Rad Hard	No
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	3.5