Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 190 ֏
×
1 260 ֏ |
от 5 шт. — 1 210 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 400 ֏
×
850 ֏ |
от 5 шт. — 800 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 040 ֏
×
750 ֏ |
от 5 шт. — 720 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 100 ֏
×
840 ֏ |
от 5 шт. — 830 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
910 ֏
×
570 ֏ |
от 10 шт. — 550 ֏
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 840 ֏ × |
от 5 шт. — 820 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOT-23-5
|
быстрый просмотр |
1 580 ֏
×
890 ֏ |
от 15 шт. — 880 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.75…5.25
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 7
Рабочая температура, °C: 0…+70(TA)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
730 ֏
×
438 ֏ |
от 5 шт. — 421 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.75…5.25
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 7
Рабочая температура, °C: 0…+70(TA)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
730 ֏
×
390 ֏ |
от 10 шт. — 351 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
2 610 ֏
×
1 480 ֏ |
от 5 шт. — 1 470 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 190 ֏
×
1 440 ֏ |
от 5 шт. — 1 400 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 23
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
быстрый просмотр |
2 370 ֏
×
1 420 ֏ |
от 5 шт. — 1 400 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 23
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
2 610 ֏
×
1 600 ֏ |
от 5 шт. — 1 560 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 580 ֏
×
1 020 ֏ |
от 10 шт. — 950 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 19
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 19
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1 460 ֏ × |
от 5 шт. — 1 410 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 19
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 19
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
1 460 ֏
×
1 280 ֏ |
от 15 шт. — 1 220 ֏
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
970 ֏
×
620 ֏ |
от 10 шт. — 580 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…14
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 14
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 190 ֏
×
1 370 ֏ |
от 5 шт. — 1 350 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 9
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+105(TA)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр |
3 160 ֏
×
2 050 ֏ |
от 5 шт. — 2 030 ֏
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 9
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+105(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
2 190 ֏
×
1 340 ֏ |
от 10 шт. — 1 260 ֏
|