Драйверы MOSFET и IGBT IR

Конфигурация: Half-Bridge

Тип канала: независимый

Кол-во каналов: 2

Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET

Напряжение питания, В: 10…20

Логическое напряжение (VIL), В: 0.8

Логическое напряжение (VIH), В: 2.9

Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2

Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35

Тип входа: неинвертирующий

Максимальное напряжение смещения, В: 600

Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150

Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50

Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)

Корпус: SOIC-8(0.154 inch)