Драйверы MOSFET и IGBT

247 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Конфигурация
сбросить
Тип канала
сбросить
Кол-во каналов
сбросить
Тип управляемого затвора
сбросить
Напряжение питания, В
сбросить
Логическое напряжение (VIL), В
сбросить
Логическое напряжение (VIH), В
сбросить
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
сбросить
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
сбросить
Тип входа
сбросить
Максимальное напряжение смещения, В
сбросить
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
сбросить
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
сбросить
Рабочая температура, °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 390 ֏
×
от 5 шт. — 1 380 ֏
MC33152DR2G, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
910 ֏
472 ֏
×
от 5 шт. — 428 ֏
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DFN-8 EP(3x3)
быстрый просмотр
910 ֏
530 ֏
×
от 5 шт. — 496 ֏
FAN3100TSX, Драйвер Low-Side Single 2 A High-Speed [SOT-23-5]
Бренд: Fairchild
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 13
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: SOT-23-5
быстрый просмотр
1 820 ֏
1 120 ֏
×
от 5 шт. — 1 090 ֏
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 280 ֏
720 ֏
×
от 5 шт. — 700 ֏
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 940 ֏
1 150 ֏
×
от 5 шт. — 1 130 ֏
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: SOP-14 (0.209 inch)
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 520 ֏
×
от 5 шт. — 1 490 ֏
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 160 ֏
830 ֏
×
от 5 шт. — 810 ֏
MC33151DG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 940 ֏
1 310 ֏
×
от 5 шт. — 1 280 ֏
MC33151PG, Драйвер MOSFET, Low-Side [DIP-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
1 400 ֏
960 ֏
×
от 5 шт. — 900 ֏
MC33153DR2G, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [SOIC-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 280 ֏
×
от 5 шт. — 1 230 ֏
MC33153PG, Одноканальный драйвер для управления затвором IGBT, [DIP-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
1 400 ֏
850 ֏
×
от 5 шт. — 810 ֏
MC34151DR2G, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
1 040 ֏
760 ֏
×
от 5 шт. — 730 ֏
MC34151PG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [DIP-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
1 100 ֏
850 ֏
×
от 5 шт. — 840 ֏
MC34152DG, Драйвер MOSFET х 2, 18В, 1.5A, [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
910 ֏
580 ֏
×
от 10 шт. — 550 ֏
MC34152PG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [PDIP-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
840 ֏ ×
от 5 шт. — 830 ֏
быстрый просмотр
900 ֏ ×
FAN7382M1X, Микросхема
Бренд: ON Semiconductor
быстрый просмотр
640 ֏ ×
быстрый просмотр
1 830 ֏ ×
от 5 шт. — 1 720 ֏
MC33152DG, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8]
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
3 100 ֏
1 960 ֏
×
от 5 шт. — 1 880 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60