2PA1774QM,315, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 100 мА, 430 мВт, DFN1006, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

28560 шт., срок 9-11 недель

315 ֏

Мин. кол-во для заказа 35 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 136 ֏

Добавить в корзину 35 шт. на сумму 11 025 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003654213

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Collector Emitter Voltage Max	40В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	120hFE
DC Усиление Тока hFE	120hFE
Power Dissipation	430мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	2PA1774M
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	DFN1006
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	100МГц
Brand:	Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO:	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	120
DC Current Gain hFE Max:	120 at 1 mA, 6 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	10000
Gain Bandwidth Product fT:	100 MHz
Manufacturer:	Nexperia
Maximum DC Collector Current:	100 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	DFN1006-3
Part # Aliases:	934057143315
Pd - Power Dissipation:	430 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Qualification:	AEC-Q101
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.01