2SB649A, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-1.5А, Vceo=-160В, Vcbo=-180В, Pd=20Вт, hFE= 60…200 [TO-126]
![2SB649A, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-1.5А, Vceo=-160В, Vcbo=-180В, Pd=20Вт, hFE= 60…200 [TO-126]](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278801.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Ереван, 1 день
641 шт. с центрального склада, срок 3 недели
590 ֏
282 ֏
от 15 шт. —
265 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 282 ֏
Номенклатурный номер: 9000464569
Бренд: Inchange Semiconductor
Технические параметры
| Структура | pnp | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60…200 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 | |
| Корпус | to-126 | |
| Вес, г | 0.9 |
Техническая документация
ISCSEMI 2SB... Bipolar Transistots
pdf, 702 КБ
Datasheet 2SB649A
pdf, 80 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 3 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 7 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
