2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]
![2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
436 шт. с центрального склада, срок 12 дней
1 940 ֏
1 050 ֏
от 15 шт. —
1 020 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 050 ֏
Номенклатурный номер: 9000464588
Бренд: Inchange Semiconductor
Технические параметры
| Структура | pnp | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 160 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 140 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60…200 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 15 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 | |
| Корпус | to-3pn | |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
ISCSEMI 2SB... Bipolar Transistots
pdf, 702 КБ
Datasheet 2SB817
pdf, 80 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 22 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 26 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
