AIGB30N65F5ATMA1, БТИЗ транзистор, 55 А, 1.6 В, 188 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 720 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
4 110 ֏
от 100 шт. —
3 090 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 14 160 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 55А |
| Power Dissipation | 188Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet AIGB30N65F5ATMA1
pdf, 1479 КБ
Похожие товары
![FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
