FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
![Фото 1/10 FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307894.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 790 ֏
3 140 ֏
от 15 шт. —
3 120 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 140 ֏
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Field Stop/Gen 2 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 349 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 12 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 92 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | TO-247-3LD | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 5136 КБ
Datasheet
pdf, 906 КБ
Datasheet - FGH40N60SM_F085
pdf, 1008 КБ
Datasheet FGH40N60SMD
pdf, 5138 КБ
С этим товаром покупают
