FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]
![Фото 1/5 FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307894.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 100 ֏
8 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 400 ֏
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Field Stop, Trench | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 555 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 40 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 475 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | TO-247-3LD | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 517 КБ
Datasheet
pdf, 377 КБ
FGH40T120SMD
pdf, 501 КБ
FGH40T120SMD, FGH40T120SMD−F155
pdf, 519 КБ
