IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
![Фото 1/2 IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 000 ֏
2 830 ֏
от 15 шт. —
2 790 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 830 ֏
Описание
IGBT NPT, траншейный полевой упор 1200 В, 50 А, 190 Вт, сквозное отверстие PG-TO247-3
Технические параметры
| Технология/семейство | TRENCHSTOP and Fieldstop | |
| Наличие встроенного диода | Нет | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 75 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 190 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 560 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 | |
| Корпус | PG-TO247-3 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet IGW25T120
pdf, 350 КБ
С этим товаром покупают
