IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 900 ֏
4 640 ֏
от 15 шт. —
4 550 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 640 ֏
Описание
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
Технология/семейство | TRENCHSTOP and Fieldstop | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 200 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 235 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 | |
Корпус | PG-TO247-3 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2115 КБ
Datasheet IKW50N60H3FKSA1
pdf, 2179 КБ
Datasheet IKW50N60H3 (Infineon)
pdf, 1642 КБ
С этим товаром покупают