IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3]
![Фото 1/3 IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 700 ֏
3 670 ֏
от 15 шт. —
3 560 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 670 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IKW50N65F5FKSA1 производства INFINEON - это высокомощный компонент для монтажа THT, предназначенный для широкого спектра применений в электронике. С током коллектора 80 А и напряжением коллектор-эмиттер в 650 В, этот транзистор может управлять значительными энергетическими нагрузками, обладая мощностью до 305 Вт. IGBT транзистор выполнен в надежном корпусе PG-TO247-3, что обеспечивает его долговечность и стабильность работы в различных условиях. Модель IKW50N65F5FKSA1 является идеальным выбором для сложных задач, где требуется высокая эффективность и надежность. Товар сочетает в себе передовые технологии INFINEON и качественное исполнение, что делает его предпочтительным вариантом для профессионалов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 80 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Мощность, Вт | 305 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Технология/семейство | TRENCHSTOP 5 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 305 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 21 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 175 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 | |
| Корпус | PG-TO247-3 | |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
IKW50N65F5
pdf, 2183 КБ
Datasheet IKW50N65F5
pdf, 2247 КБ
