IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]
![Фото 1/6 IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 100 ֏
5 600 ֏
от 15 шт. —
5 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
| Технология/семейство | Trench and Fieldstop | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 225 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 428 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 33 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 | |
| Корпус | PG-TO247-3 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW75N60TFKSA1
pdf, 853 КБ
Документация
pdf, 562 КБ
Datasheet IKW75N60T (Infineon)
pdf, 858 КБ
С этим товаром покупают
