KSD526Y

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 130 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 130 ֏

Номенклатурный номер: 9000804088

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Pd - рассеивание мощности	30 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.4 mm (Max)
Длина	10.1 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	4 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	8 MHz
Размер фабричной упаковки	1200
Серия	KSD526
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm (Max)
Вес, г	1.8