MBR1100G, Диод Шоттки 100В 1А [DO-41]
![Фото 1/3 MBR1100G, Диод Шоттки 100В 1А [DO-41]](https://static.chipdip.ru/lib/317/DOC005317925.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 ֏
210 ֏
от 500 шт. —
197 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 ֏
Описание
The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode.
Технические параметры
| Серия | MBR1хх | |
| Тип устройства | Диод Шоттки | |
| Материал полупроводника | кремний | |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 | |
| Конфигурация диода | Одиночный | |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 100 | |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 1 | |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.79 | |
| Обратный ток утечки, мкА | 500 | |
| Рабочая температура, °C | -65…+175 C | |
| Корпус | DO-204AL/DO-41 | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
С этим товаром покупают
