MMBFJ177LT1G, Транзистор, P-канал, 30В 50мА 225мВт [SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
316 ֏
145 ֏
от 100 шт. —
123 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 145 ֏
Описание
Описание Транзистор P-JFET, полевой, 225мВт, SOT23, 50мА Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | JFET |
Технические параметры
Структура | P-канал |
Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 30 |
Ток утечки (Idss), мА | 1.5…20 |
при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.8…2.5 |
при Id, нА | 10 |
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 300(max) |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | sot-23 |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBFJ177LT1G
pdf, 70 КБ
Datasheet SMMBFJ177LT1G
pdf, 73 КБ
MMBFJ177
pdf, 240 КБ
MMBFJ177LT1G, SMMBFJ177LT1G
pdf, 119 КБ
С этим товаром покупают