MMBT2222AWT1G, BJT транзистор NPN 40В 0.6А SOT23 (SC-70-3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 ֏
от 5 шт. —
6 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 ֏
Описание
The MMBT2222AWT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Package saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | aec-q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40в |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-323 |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 600ма |
| DC Усиление Тока hFE | 35hFE |
| Частота Перехода ft | 300мгц |
| Линейка продукции | mmbtxxxx series |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
Datasheet MMBT2222AWT1G
pdf, 121 КБ
