MMUN2130LT1G, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 ֏
от 5 шт. —
11 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 246 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 3 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 3 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMUN2130L |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 423 КБ