MMUN2130LT1G, Транзистор

MMUN2130LT1G, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 ֏
от 5 шт.11 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 ֏
Номенклатурный номер: 9001380522

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 246 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 3
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 3
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMUN2130L
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 1 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 423 КБ