NSS60201LT1G, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 ֏
от 5 шт. —
90 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 540 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.94 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | NSS60201LT1G |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet NSS60201LT1G
pdf, 105 КБ
Документация
pdf, 100 КБ
