NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM

NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
67 100 ֏
от 5 шт.61 300 ֏
от 10 шт.59 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 67 100 ֏
Номенклатурный номер: 8000247148

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 2.2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 40А
DC Ток Коллектора 40А
Power Dissipation 103Вт
Выводы БТИЗ Solder
Количество Выводов 22вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ PIM Half Bridge Inverter
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Максимальная Температура Перехода Tj 150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 2.2В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 103Вт
Стиль Корпуса Транзистора PIM
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet NXH80B120H2Q0SG
pdf, 262 КБ