Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › PEMD10,115, Биполярный цифровой/смещение ...

PEMD10,115, Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4000 шт., срок 9-11 недель

570 ֏

Мин. кол-во для заказа 20 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 260 ֏

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 11 400 ֏

Номенклатурный номер: 8000246759

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max NPN	50В
Collector Emitter Voltage Max PNP	50В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	100hFE
Power Dissipation	200мВт
Квалификация	-
Количество Выводов	6 Выводов
Корпус РЧ Транзистора	SOT-666
Линейка Продукции	PEMD10 Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic	100мА
Полярность Транзистора	NPN and PNP Complement
Полярность Цифрового Транзистора	NPN и PNP
Резистор База-эмиттер R2	47кОм
Резистор На входе Базы R1	2.2кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2	-
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-666
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SSMini
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Type	NPN/PNP
Typical Input Resistor	2.2 kΩ
Typical Resistor Ratio	0.047
Вес, г	0.01