Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGS60TS65HRC11, БТИЗ транзистор, 56 А ...

RGS60TS65HRC11, БТИЗ транзистор, 56 А, 1.65 В, 223 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15 шт., срок 9-11 недель

3 200 ֏

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 3 110 ֏

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 12 800 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001584238

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Field Stop Trench IGBTs
ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	56А
Power Dissipation	223Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	Field Stop Trench RGS Series
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247N
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand:	ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.65 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	56 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247N-3
Packaging:	Tube
Part # Aliases:	RGS60TS65HR
Pd - Power Dissipation:	223 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Qualification:	AEC-Q101
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	5.67