RGT16NS65DGC9, БТИЗ транзистор, 16 А, 1.65 В, 94 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)

Фото 1/2 RGT16NS65DGC9, БТИЗ транзистор, 16 А, 1.65 В, 94 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
899 шт., срок 9-11 недель
2 760 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.2 320 ֏
от 100 шт.1 910 ֏
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 11 040 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004128059
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 16А
Power Dissipation 94Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-262
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Pd - рассеивание мощности 94 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № RGT16NS65D(TO-262)
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 50
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-262-3
Base Product Number RGT16 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
ECCN EAR99
Gate Charge 21nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
Power - Max 94W
Reverse Recovery Time (trr) 42ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-262
Td (on/off) @ 25В°C 13ns/33ns
Test Condition 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 709 КБ
Datasheet
pdf, 954 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 21 августа1 бесплатно
HayPost 25 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг