RGT8NL65DGTL, БТИЗ транзистор, 8 А, 1.65 В, 65 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 шт., срок 9-11 недель
1 860 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
1 610 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 11 160 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 8А |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGT8NL65DGTL
pdf, 1206 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![IRGB4056DPBF, Транзистор IGBT 600В 24А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![MSG30D120FLB, Транзистор IGBT 1200В 30А 342Вт [TO-3PB]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![MSG50T120FQW, Транзистор IGBT 1200В 50А 320Вт [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
