RGTH00TS65DGC13, БТИЗ транзистор, 85 А, 1.6 В, 277 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 9-11 недель
6 800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
5 800 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 13 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
ROHM Field Stop Trench IGBT is an IGBT with high speed switching. It has low collector emitter saturation voltage .
Технические параметры
| Configuration | Single Collector, Single Emitter, Single Gate |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 85 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 277 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247GE |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 888 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
