RGTH80TK65GC11, БТИЗ транзистор, 31 А, 1.6 В, 66 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Фото 1/3 RGTH80TK65GC11, БТИЗ транзистор, 31 А, 1.6 В, 66 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
438 шт., срок 9-11 недель
4 160 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.3 550 ֏
от 100 шт.2 800 ֏
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 12 480 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001734443
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.6В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 31А
Power Dissipation 66Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-3PFM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Pd - рассеивание мощности 66 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № RGTH80TK65
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 31 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3PFM
Base Product Number RGTH80 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 31A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
ECCN EAR99
Gate Charge 79nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Power - Max 66W
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-3PFM
Td (on/off) @ 25В°C 34ns/120ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet RGTH80TK65GC11
pdf, 805 КБ
Datasheet RGTH80TK65GC11
pdf, 613 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 21 августа1 бесплатно
HayPost 25 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг