Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGTV60TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 33 А ...

RGTV60TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 33 А, 1.5 В, 76 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

58 шт., срок 9-11 недель

3 240 ֏

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 2 890 ֏

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 12 960 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8000928249

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

New 650V IGBTs Deliver Class-Leading Efficiency with Soft Switching. Two new types of 650V IGBTs that combine class-leading low conduction loss with high-speed switching characteristics. This makes them ideal for power conversion in general-purpose inverters and converters for consumer appliances, such as ACs and IH (Induction Heaters), as well as industrial equipment, including power conditioners, welding machines, and UPS (Uninterrupted Power Supplies). The RGTV series features short circuit tolerance.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	33А
Power Dissipation	76Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	Field Stop Trench RGTV Series
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Pd - рассеивание мощности	76 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	33 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	33 A
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Вес, г	6.35