RGW00TS65EHRC11, БТИЗ транзистор, 96 А, 1.5 В, 254 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 9-11 недель
9 200 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
8 600 ֏
от 10 шт. —
7 700 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 18 400 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The ROHM RGW series field stop trench IGBT suitable for automotive, on & off board computer, DC-DC converters, PFC, industrial inverter.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 254 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TS65EHRC11
pdf, 5791 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC000192024.jpg)
