RGW40TS65DGC11, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 40A/136W/TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 9-11 недель
5 600 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
4 640 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 11 200 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 6.42 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
