Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGW60TK65DGVC11, БТИЗ транзистор, 33 А ...

RGW60TK65DGVC11, БТИЗ транзистор, 33 А, 1.5 В, 72 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

16 шт., срок 9-11 недель

4 330 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 4 240 ֏

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 12 990 ֏

Номенклатурный номер: 8000979746

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Field Stop Trench IGBTs ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	33А
Power Dissipation	72Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Brand:	ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	33 A
Continuous Collector Current Ic Max:	33 A
Factory Pack Quantity:	450
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-3PFM
Packaging:	Tube
Part # Aliases:	RGW60TK65D
Pd - Power Dissipation:	72 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	6.35