RGW60TS65GC11, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.5 В, 178 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/2 RGW60TS65GC11, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.5 В, 178 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/652/DOC006652859.jpg)
26 шт., срок 9-11 недель
3 330 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 850 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 13 320 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 60А |
Power Dissipation | 178Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Pd - рассеивание мощности | 178 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
Подкатегория | IGBTs |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247N-3 |
Вес, г | 6.42 |
Техническая документация
Datasheet RGW60TS65GC11
pdf, 1500 КБ
Datasheet RGW60TS65GC11
pdf, 1494 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары