RGW80TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 39 А, 1.5 В, 81 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

28 шт., срок 9-11 недель

4 200 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 3 550 ֏

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 12 600 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001584080

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	39А
Power Dissipation	81Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Pd - рассеивание мощности	81 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	39 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	39 A
Подкатегория	IGBTs
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Вес, г	6.35