RGW80TS65DHRC11 Single IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт., срок 8 недель
11 000 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 22 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM RGW series field stop trench IGBT suitable for automotive, on & off board computer, DC-DC converters, PFC, industrial inverter.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGW80TS65DHRC11
pdf, 5793 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC000192024.jpg)
![IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247]](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC004153676.jpg)
