RGW80TS65GC11, IGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Фото 1/3 RGW80TS65GC11, IGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
595 шт., срок 8-10 недель
4 680 ֏
от 25 шт.3 340 ֏
от 100 шт.2 660 ֏
от 450 шт.2 460 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 680 ֏
Номенклатурный номер: 8005265179
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 214 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 78 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 78 A
Подкатегория IGBTs
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247N-3
Base Product Number RGW80 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 78A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
ECCN EAR99
Gate Charge 110nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 214W
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247N
Switching Energy 760ВµJ (on), 720ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 44ns/143ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 78А
Power Dissipation 214Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247N
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RGW80TS65GC11
pdf, 1530 КБ
Datasheet RGW80TS65GC11
pdf, 1536 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 31 июля1 бесплатно
HayPost 4 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг