RGWX5TS65DHRC11, БТИЗ транзистор, 132 А, 1.5 В, 348 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт., срок 9-11 недель
6 700 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
6 300 ֏
от 10 шт. —
5 700 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 13 400 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The ROHM RGWX series field stop trench IGBT suitable for automotive, on & off board computer, DC-DC converters, PFC, industrial inverter.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 348 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGWX5TS65DHRC11
pdf, 5119 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
