RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
![RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Ереван, 3 дня
237 шт. с центрального склада, срок 12 дней
4 000 ֏
2 450 ֏
от 5 шт. —
2 320 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 450 ֏
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260400mW 3-Pin(3+Tab) TO-247A
Технические параметры
| Технология/семейство | Trench | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 260.4 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 53 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 105 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | TO-247A | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet RJH60F5DPQ-A0
pdf, 88 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 11 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
С этим товаром покупают
