SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213)
![SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт [TO-220] (замена для BUP213)](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211525.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 550 ֏
3 020 ֏
от 15 шт. —
3 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 020 ֏
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Технические параметры
| Технология/семейство | NPT | |
| Наличие встроенного диода | Нет | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 30 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 52 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.6 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 198 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 18 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 580 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | PG-TO-220-3-1 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 402 КБ
Datasheet SGP15N120XKSA1
pdf, 419 КБ
С этим товаром покупают
