SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247]
![Фото 1/2 SKW25N120FKSA1 (K25N120), Транзистор IGBT 1200В 25А 313Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/206/DOC001206194.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 600 ֏
8 800 ֏
от 15 шт. —
8 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 800 ֏
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт
Технические параметры
| Технология/семейство | NPT | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 46 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 84 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.6 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 313 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 45 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 730 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | PG-TO247-3 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
IGBT транзисторы Infineon
pdf, 234 КБ
Datasheet SKW25N120
pdf, 336 КБ
С этим товаром покупают
