STGAP2SICDTR, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, SiC MOSFET, 36 вывод(-ов), SO-36W, Inverting

STGAP2SICDTR, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, SiC MOSFET, 36 вывод(-ов), SO-36W, Inverting
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
919 шт., срок 9-11 недель
4 690 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.4 200 ֏
от 25 шт.3 820 ֏
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 14 070 ֏
Номенклатурный номер: 8010005235
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Gate Drivers
The STMicroelectronics STGAP2SiCD is a dual gate driver for SiC MOSFETs which provides galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry.

Технические параметры

Fall Time 30ns
Logic Type CMOS, TTL
Output Current 4 A
Package Type SO-36W
Pin Count 36
Supply Voltage 3.1 V, 5.5 V
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet STGAP2HDMTR
pdf, 796 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 21 августа1 бесплатно
HayPost 25 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг