STGAP2SICDTR, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, SiC MOSFET, 36 вывод(-ов), SO-36W, Inverting
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
919 шт., срок 9-11 недель
4 690 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
4 200 ֏
от 25 шт. —
3 820 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 14 070 ֏
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Gate Drivers
The STMicroelectronics STGAP2SiCD is a dual gate driver for SiC MOSFETs which provides galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry.
Технические параметры
Fall Time | 30ns |
Logic Type | CMOS, TTL |
Output Current | 4 A |
Package Type | SO-36W |
Pin Count | 36 |
Supply Voltage | 3.1 V, 5.5 V |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet STGAP2HDMTR
pdf, 796 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары