STGAP2SICSNTR, Gate Driver, 1 канал(-ов), Isolated, Изолированный, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов), SOIC

Фото 1/2 STGAP2SICSNTR, Gate Driver, 1 канал(-ов), Isolated, Изолированный, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов), SOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2665 шт., срок 9-11 недель
3 500 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.3 150 ֏
от 25 шт.2 900 ֏
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 14 000 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8008781984
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов

• Driver current capability: 4A sink/source at 25°C
• dV/dt transient immunity ±100V/ns in full temperature range
• Overall input-output propagation delay is 75ns
• UVLO function, gate driving voltage up to 26V
• Temperature shut-down protection, standby function
• 4.8kVPK isolation, UL 1577 recognized
• Maximum switching frequency is 1MHz
• Common-mode transient immunity, dVISO/dt is 100V/ns minimum (VCM = 1500V)
• GON-GOFF output configuration, SO-8 package
• Operating junction temperature range from -40 to 125°C

Технические параметры

Gate Driver Type Isolated
IC Case / Package SOIC
Задержка Выхода 75нс
Задержка по Входу 75нс
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Количество Каналов 1канал(-ов)
Конфигурация Привода Изолированный
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Минимальная Рабочая Температура -50°C
Минимальное Напряжение Питания 3.1В
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Тип переключателя питания SiC MOSFET
Ток истока
Ток стока
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Fall Time 30ns
Output Current 4 A
Package Type SO-8
Pin Count 8
Вес, г 0.08

Техническая документация

Datasheet STGAP2SICSNTR
pdf, 656 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 21 августа1 бесплатно
HayPost 25 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг