WG50N65DHWQ, IGBT, 650V, 91A, 150DEG C, 278W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 9-11 недель
3 790 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 400 ֏
от 100 шт. —
2 570 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 11 370 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8008831709
Бренд: WeEn Semiconductors
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 91А |
| Power Dissipation | 278Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 11.51 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
