BD442G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

570 ֏

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 22 шт. — 429 ֏

от 43 шт. — 394 ֏

от 85 шт. — 377 ֏

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 280 ֏

Номенклатурный номер: 8000549021

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт

Корпус	to-126
Pd - рассеивание мощности	36 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	11.04 mm
Длина	7.74 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	4 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	3 MHz
Размер фабричной упаковки	500
Серия	BD442
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-225-3
Ширина	2.66 mm
Вес, г	1