MUN5214T1G, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

97 ֏

Мин. кол-во для заказа 21 шт.

от 108 шт. — 76 ֏

от 216 шт. — 68 ֏

от 431 шт. — 64 ֏

Добавить в корзину 21 шт. на сумму 2 037 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8000579824

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы

Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.202 Вт, 10 кОм+47 кОм

Корпус	sot-323
Brand	ON Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min	80
DC Current Gain HFE Max	80
Factory Pack Quantity	3000
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-70-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	202 mW
Peak DC Collector Current	100 mA
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series	MUN5214
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	10 kOhms
Typical Resistor Ratio	0.21
Base-Emitter Resistor	47kΩ
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Power Dissipation	310 mW
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323(SC-70)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.017