MJD127T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

800 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 33 шт. — 640 ֏

от 65 шт. — 590 ֏

от 129 шт. — 560 ֏

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 400 ֏

Посмотреть аналоги3

Номенклатурный номер: 8000654414

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт

Корпус	DPAK/TO-252AA
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4.5 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Cut-off Current	0.01mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Continuous Collector Current	8 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum DC Current Gain	100
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Width	6.22mm
Case	DPAK
Collector current	8A
Collector-emitter voltage	100V
Kind of transistor	Darlington
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
Polarisation	bipolar
Power dissipation	20W
Type of transistor	PNP
Вес, г	0.6