Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2N4920G, Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW ...

2N4920G, Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

294 ֏

Мин. кол-во для заказа 450 шт.

Добавить в корзину 450 шт. на сумму 132 300 ֏

Номенклатурный номер: 8001142948

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 30W PNP

Технические параметры

EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	PNP
Product Category	Bipolar Power
Material	Si
Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	80
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.3@0.1A@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.6@0.1A@1A
Maximum DC Collector Current (A)	3
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	100000
Minimum DC Current Gain	30@500mA@1V\|40@50mA@1V\|10@1A@1V
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Maximum Transition Frequency (MHz)	3(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Box
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	TO-225
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	11.04(Max)
Package Length	7.74(Max)
Package Width	2.66(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Pd - рассеивание мощности	30 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	11.04 mm (Max)
Длина	7.74 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	3 MHz
Размер фабричной упаковки	500
Серия	2N4920
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-225-3
Ширина	2.66 mm (Max)
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-80 V
Maximum DC Collector Current	-1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	1 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	30 W
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-225
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Category	Bipolar Power
Collector Current (DC)	1(A)
Collector Current (DC) (Max)	3 A
Collector-Base Voltage	80(V)
Collector-Emitter Voltage	80(V)
DC Current Gain	40
DC Current Gain (Min)	40
Emitter-Base Voltage	5(V)
Frequency	3(MHz)
Frequency (Max)	3 MHz
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-65C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Output Power	Not Required(W)
Power Dissipation	30(W)
Rad Hardened	No
Transistor Polarity	PNP
Вес, г	1